전기전자 공학 - 스트레인게이지 property(특성)과 브릿지회로에 대하여
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작성일 23-01-24 20:08
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다음 그림이 이를 說明(설명) 한다.
프와송 비를 라고 하면, , ,
금속의 경우, 저항률의 alteration(변화) 분은 무시할 수 있으므로 가 되어, 이 된다 즉, 저항 alteration(변화) 률은 변형률에 비례한다. 변형은 변형율(strain)으로 표시하며 변형량을 전체 길이로 나눈 값이다. (이 경우, 프와송비를 0.3이라고 가정)
게이지 1과 게이지 2가 서로 같고, 유사한 물체에 부착되고 두 물체 사이에 온도변화로 인해 발생한 저항 변화량 가 같다면,
이때 브리지가 평형이 되고 온도의 影響(영향)이 없는 출력이 된다. 여기서, , 는 게이지 율(gauge factor)라고 한다. 이때 저항의 변화는 게이지 1과 게이지 2 사이에서는 서로 같고 부호는 반대이며, 브리지 출력은 2배가 된다.(다음 표의 G 경우) 게이지 율(gauge factor)은 다음 표를 참고하면 된다.
초기의 전기적 평형은 다음과 같은 상태에서 이루어 진다.
위의 그림에서는 브리지 상수는 2이고, 4 게이지 법에서는 4가된다. 1) 인접 아암 평형 또는 보상 게이지 2) 자기 보상(self compensation)
위의 2.2.4, 2.2.5의 그림들과 같은 브리지 회로를 사용한다.
모든 기계나 구조물은 외부의 하중이나 힘을 받으면 변형한다.
저항선 스트레인 게이지는 온도에 민감하므로 온도변화가 없는 경우를 제외하고는 반드시 보상이 이루어져야 한다. 모든 기계나 구조물은 외부의 하중이나 힘을 받으면 변형한다. 변형은 변형율(strain)으로 표시하며 변형량을 전체 길이로 나눈 값이다. 즉, 저항 변화률은 변형률에 비례한다. 어떤 경우에는 게이지는 프와송비의 함수인 횡스트레인을 감지하도록 부착하는데 브리지상수는 1.3 및 2.6이된다.
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여기서, , 는 게이지 율(gauge factor)라고 한다. 굽힘의 경우 한면과 다른 면은 서로 반대로 작용한다.
설명
전기전자 공학,스트레인게이지 특성,브릿지회로
다.
(1)온도 보상
게이지법 및 4 게이지법 감도증가회로
(2)인접 아암 보상 게이지
전기전자 공학 - 스트레인게이지 property(특성)과 브릿지회로에 대하여
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프와송 비를 라고 하면, , , 금속의 경우, 저항률의 변화분은 무시할 수 있으므로 가 되어, 이 된다. 게이지를 4개 사용할 경우, 브리지 출력은 1개의 게이지를 사용할 때의 4배가 된다.
레포트 > 자연과학계열
보통 브리지회로에는 측정용 게이지를 둘이상 사용하기도 한다. 이때에는 게이지 1과 4는 인장 쪽에 붙이고, 2와 3은 압축 쪽에 붙인다. 보상게이지로 브리지를 완성하고 온도 成分을 평형에서 제외하기 위해 사용될 때 이것을 더미(dummy)게이지라 한다.
